For præcis et år siden meddelte IBM, at selskabet ville investere 20 milliarder kroner over fem år i et stort program til udvikle nye generationer af computerchip.
Nu foreligger de første resultater i form af transistorer på en chip fremstillet i 7 nanometer-teknologi.
Det baner vejen for, at der også i fremtiden kan presses flere og flere transistorer ind på computerchips, og Moores lov, som har styret halvlederbranchen siden 1968, kan leve videre i de kommende år.
Læs også: Nanoteknologi puster nyt liv i Moores lov
I dag anvendes 22 nm eller 14 nm-teknologi til produktion af kommercielle chip. 14 nm-teknologien blev taget i kommerciel brug i 2014. Dimensionen referer til en form typisk dimension, som ikke nødvendigvis er den mindste dimension, der kan fremstilles med den pågældende teknik.
Verdens største chipproducent, Intel, venter at være klar med næste generation, som kaldes for 10 nm-teknologi, i slutningen af 2016 eller begyndelsen af 2017.
I takt med at dimensionerne bliver mindre og mindre, tårner problemerne sig dog op. For det første skal man bruge ekstremt kortbølget lys i den litografiske proces. Denne såkaldte EUV.proces benytte argon-fluor-lasere med en bølgelængde på 193 nm.
Dernæst er der et problem med udelukkende at benytte silicium, som er chipindustriens foretrukne halvledermateriale. Derfor benytter IBM silicium-germanium-transitorer (SiGe) i deres nye testchip.
Der er stadig et stykke vej fra de nuværende testtransistorer til, at man kan masseproducere efter 7 nm-teknologien. Michael Liehr fra Suny Polytechnic Institute, der samarbejder med IBM om at udvikle teknologien, erklærer dog, at der er tale om en vigtig milepæl for hele halvlederindustrien.
IBM’ store forskningsprojekt sigter også mod 5 nm og endnu mindre dimensioner, og her er det vurderingen, at selv silicium-germanium-transitorer kommer til kort, så gallium-arsenid, kulstofnanorør og andre materialer for alvor må på banen.
