Hvor længe kan jeg regne med, at processorer kan sørge for regnekraft? Det spørgsmål får ekspedienterne sjældent i butikken, når forbrugere shopper smartphones, bærbare computere eller måske en ny elbil.
Men det kan hurtigt blive til virkelighed, hvis ikke halvlederproducenterne begynder at tage levetidsproblemer alvorligt for de nye små halvledere, som udgør de centrale komponenter i de mikroprocessorer, der driver de fleste elektronikprodukter i dag.
Problemet er opstået, i takt med at antallet af transistorer i et integreret kredsløb vokser, samtidig med at størrelsen på kredsløbet bliver mindre. Det er især halvledere på fem nanometer og under, som begynder at vise tegn på hurtig nedbrydning.
Men nu ser det ud til, at halvlederproducenterne er ved at ramme muren for størrelsen af de transistorer, der er kernen i moderne processorer. Der lyder meldinger om svækkede levetider og hurtig nedbrydning dukker op på chips, der er fremstillet efter fem nanometer-processer, som er de mindst tilgængelig på markedet i dag.
Det fortæller en række eksperter og analytikere til mediet Semiengineering. For når størrelsen på halvlederne bliver så små, så bliver de hurtigere slidt op af høj varme og elektromigration.
Læs også: Effektelektronik bliver stresset i Aalborg
»Når du prøver at følge Moores Lov, så vil du løbe ind i problemer, fordi små enheder ikke opfører sig på samme måde som større,« siger Francesco Iannuzzo, der er professor på Institut for Energiteknik på Aalborg Universitet.
I dag er Samsung og TSMC på vej med produktion af halvledere på fem nanometer med finFET i år, mens de samtidig har lagt planer om at sætte gang i produktion af tre nanometer-processer i løbet af 2021 eller 2022.
Håret vokser en nanometer i sekundet
En nanometer er 0,000000001 eller 10^-9 meter. Til sammenligning vokser et menneskehår på hovedet omkring en nanometer i sekundet.
Når vi taler om halvlederproduktion, bruges begrebet en nanometer (nm)-proces til at beskrive bredden på transistor-gaten. Jo mindre gaten er, jo mere processorkraft kan pakkes på et givet område. Nanometerprocessen har i mange år fungeret som den internationale rettesnor for, om producenterne kan følge med Moores Lov, der siger, at antallet af transistorer i et integreret kredsløb fordobles hver 18-24 måneder.
Læs også: Apple vil bruge ARM-processor i MacBooks: Kan starte chip-revolution
Det er især varme, der nedbryder halvledernes evne til at forbinde et integreret kredsløb.
»Højere hastigheder har en tendens til at generere højere temperaturer, og temperatur er den største dræber. Den forventede levetid kan eksponentielt forandres med en lille delta-ændring i temperatur,« siger Rita Horner, senior product marketing manager for 3D-IC hos Synopsys til Semiengineering.
Halvledere er materialer med en elektrisk ledningsevne, der ligger mellem de ledende materialer og de isolerende. I dag er silicium det mest anvendte halvledermateriale til elektronik. Til effektelektronik anvendes i stigende grad også siliciumcarbid (SiC) og Galiumnitrid, da de er mere effektive og taber mindre energi i forbindelse med konverteringen.Halvledere
Fra fabriks- til forbrugerproblem
‘How low can you go’. Det har været mantraet hos verdens halvlederproducenter, siden Intels grundlægger, Gordon Moore, fremlagde sin forudsigelse om halvledere, der blev til Moores Lov.
Op til i dag har kapløbet om at følge med Moores lov primært givet panderynker hos halvlederproducenter, mens vi forbrugere har kunnet nyde godt at hurtigere, kraftigere og mindre processorer i elektronikprodukter uden grundlæggende at skulle bekymre os om ustabile processorer eller kort levetid.
De nye små nanometer-processer har primært givet udfordringer i selve fremstillingsprocessen, og derfor er feltet af virksomheder, der faktisk kan fremstille så små halvledere, i dag indsnævret til en lille håndfuld globale virksomheder, f.eks. TSMC, Samsung og Intel. Når først en halvlederproducent har fået styr på en given nanometer-proces, er chippens levetid meget længere, end forbrugerne har behov for.
Men nu ser det altså ud til, at slutproduktet også bliver påvirket negativt at ønsket om øget regnekraft på mindre plads.
Den udvikling er blevet forstærket af måden, man i dag pakker transistorer i et integreret kredsløb. Her er man gået fra flade CMOS-processer til finFET, hvor en konventionel transistor vendes på siden, så den ikke længere er flad, men har en tre dimensioner med et større overfladeareal. Og når varmen er pakket mere ind, har den sværere ved naturligt at forlade transistoren.
Tidligere har man løst udfordringen med levetid med konservative designs, hvor der er indlagt plads til lade varmen slippe væk. Man har altså overdimensioneret chipdesignet for at undgå overophedning. Men det er ikke nødvendigvis muligt, når dimensionerne er nede i 5-10 nanometer.
Ud over temperatur er elektromigration en anden årsagen vigtig årsag til, at halvlederne bliver hurtigt slidt. Samtidig bliver de nye små mikroprocessorer også udsat for langt hårdere behandling, end vi har været vant til, f.eks. i biler, hvor temperaturen hurtigt kommer over 150 grader, hvilket også presser pålideligheden og giver en hurtigere slid på de små chips.
