Ny switch gør det muligt at stable hukommelse

Mens IBM ikke selv forsker i fase­skiftende hukommelse og Resistive Random Access Memory (ReRAM), forskes der til gengæld i de switche, der skal gøre det muligt at skrive til og læse de enkelte celler i disse hukommelsestyper.

De traditionelle switche kræver en forholdsvis stærk strøm, som typisk kan være på helt op til flere ampere pr. kvadratcentimeter, hvilket på grund af varmeudviklingen gør det umuligt at stable hukommelses­elementer i mange lag.

IBM har i sine laboratorier fremstillet en switch, der kan styre en hukommelsesblok på 512 x 1.024 celler med et så lavt effektforbrug, at hukommelseselementer kan stables i mange lag, hvilket er nødvendigt af hensyn til økonomien.

Switchen, der hedder en MIEC-switch (Mixed Ionic-Electronic Conduction), er produceret i kobber, der er påført en række urenheder, hvor IBM ikke vil komme helt tæt på detaljerne.

Hidtil har det ikke været muligt at stable alternative former for hukommelse i flere lag. Ganske vist stabler man flash-hukommelse, men et sker ved at lime flere wafere oven på hinanden.

»Med IBM’s teknologi bygges de enkelte switche og hukommel­ses­elementer direkte oven på hinanden. Derfor kan de umiddelbart integreres i en processor, der i forvejen består af en lang række forskellige metallag,« fortæller chefen for IBM’s forskerteam, Geoff Burr.

»For hvert lag består processoren af en række transistorer forbundet med tynde kobberledninger. Med switchteknologien kan vi levere hukommelseselementer, der kan anvende de samme lag, således at de kan sidde ved siden af processoren, men på den samme chip,« forklarer han.

Interessen for denne teknologi var ved at dø ud, indtil Intel annoncerede sin 3D XPoint-teknologi.