Ny nano-hukommelse: 1.000 gange hurtigere end flash

Det er en af den slags nyheder, der næsten er for god til at være sand. En ny type hukommelse, der ikke blot er 1.000 gange hurtigere end dagens flash-RAM, men som også kan holde i 100.000 år, og desuden fylder minimalt og bruger meget lidt strøm.

Men den er god nok, mener forskere på University of Pennsylvania, selv om de understreger, at det ligger nogle år ude i fremtiden, inden superhukommelsen kan hives ned af hylderne hos din lokale hardwareforhandler.

Forskerne har benyttet teknologi phase change memory til at skabe superhukommelsen. Navnet henviser til, at materialet i hukommelsen skifter form mellem amorf og krystallinsk, og det angiver et binært nul eller et-tal.

Den nye hukommelse er først og fremmest lille. Den skal opbygges ved hjælp af nanotråde med en diameter på 100 atomer og en længde på omkring ti mikrometer.

Med så små dimensioner er det meget svært at fremstille trådende ved traditionel litografi, som anvendes til fremstilling af halvledere.

I stedet har de amerikanske forskere fundet frem til et materiale opbygget af grundstofferne germanium, antimon og tellur, som de kan få til selv at samle sig i de ønskede tråde. Det sker gennem en metalkatalyse-proces, som universitetet ikke beskriver nærmere i sin pressemeddelelse. Trådene lægges derefter på en skive silicium, ligesom det er tilfældet med dagens chips.

Phase change memory er omkring 1.000 gange hurtigere end flash, da skrivetiden kun er 50 ns. Pennsylvania-forskerne har selv beregnet levetiden til omkring 100.000 år, hvilket skal holdes op mod flash, som kun holder i godt fem år, hvis det hele tiden anvendes.

Strømforbruget er også i bund, da der ifølge universitetets pressemeddelelse kun anvendes omkring 0,7 mW for hver bit, der skrives.

På længere sigt er det planen, at phase change memory skal afløse både flash, dynamisk samt statisk hukommelse, altså så godt som alle eksisterende hukommelsesprodukter.

»Forestil dig en hukommelse, der kan erstatte flere eksisterende former for hukommelse, så du I fremtiden kan starte den bærbare på blot et par sekunder, mens du ikke hele tiden skal flytte data frem og tilbage mellem dynamisk hukommelse og flash,« siger professor Ritesh Agarwal i et telefoninterview med Ingeniøren.

»Phase change memory har potentiale til at revolutionere den måde, vi deler information, overfører data og downloader data som forbruger,« tilføjer han.

Dokumentation

Pressemeddelelse fra University of Pennsylvania

sortSortér kommentarer
  • Ældste først
  • Nyeste først
  • Bedste først

Husk at sætte en advarsel på memorychippen om at den bliver meget varm når der skrives på den. 0,7 mW/bit der bliver skrevet!!!!! D.v.s. hvis man smider 1 Gbyte over på disken er strømforbruget ca. 5,6 MegaWatt!!! Jeg ved ikke hvordan andre har det men min elinstallation skal nok opgraderes :o) Mon ikke der skulle have stået 0,7 n(ano)W/bit.

  • 0
  • 0

He he... Ja, det ville jo være en god grund til at den ikke var kommercielt tilgængelig endnu. (endsige egnet til bærbare) Men der er nok smuttet et par ekstra nuller med i oversættelsen. :-)

  • 0
  • 0

Husk at sætte en advarsel på memorychippen om at den bliver meget varm når der skrives på den. 0,7 mW/bit der bliver skrevet!!!!! D.v.s. hvis man smider 1 Gbyte over på disken er strømforbruget ca. 5,6 MegaWatt!!! Jeg ved ikke hvordan andre har det men min elinstallation skal nok opgraderes :o) Mon ikke der skulle have stået 0,7 n(ano)W/bit.

Hej Niels

Tak for dit regnestykke, som jeg godt forstår giver dig anledning til undren.

Jeg har tjekket og konstateret, at vi ikke har lavet en fejl i oversættelsen. Vi skriver nøjagtigt det samme som University of Pennsylvania.

Det er, som du påpeger, sandsynligvis forkert, men jeg kan desværre ikke umiddelbart oplyse det korrekte strømforbrug og derfor heller ikke skrive det i artiklen.

Med venlig hilsen

Magnus Bredsdorff Ingeniøren

  • 0
  • 0

Jeg læser nu mW/bit som milliwatt og ikke som megawatt (MW), hvilket unægteligt giver et noget lavere strømforbrug - nemlig 1 milliard mindre og dog 1 million mere end gættet på nW nanowatt.

  • 0
  • 0

Enheden (W/bit) er efter min mening næsten meningsløs, det burde have været (J/bit)!

Men hvis man nu tager den opgivne skiftetid (50ns) med i betragtning, så bliver ENERGI-forbruget per bit 35 pJ og hvis vi så regner med f.eks. bit rate på 1Gb/s så bliver det totale effektforbrug ~35 mW.

  • 0
  • 0

Jeg læser altså også 0.7 mW som 0.7 milliWatt. Men pr. bit?!? 1 Gigabyte er da 1.073.741.824 byte, som er 8.589.934.592 bit. Ganger man dét med 0,0007 Watt fås godt nok 6.012.954 watt - ca. 6 Mw (MegaWatt).

Det er godt nok en effekt der vil noget. Jeg tror jeg vil beholde min USB-stick lidt endnu...

  • 0
  • 0

Ganger man dét med 0,0007 Watt fås godt nok 6.012.954 watt - ca. 6 Mw (MegaWatt).

Det er godt nok en effekt der vil noget. Jeg tror jeg vil beholde min USB-stick lidt endnu...

Ja, men det er bare det ved det, at din beregning (fortsat) er meningsløs. Se mit overslag tidligere i tråden.

  • 0
  • 0

Jeg studsede også lige over formuleringen, men når jeg tænker nærmere efter, synes jeg, det giver god mening: Der bruges 0,7 mW (og det er altså milliwat) for at skrive en bit. Det tager 50 ns -- altså 50 * 10^-9. * 0,0007 J = 35 pJ. Hvis man skriver serielt på hukommelsen tager den altså 0,7 mW i den tid, det tager at skrive på den. Hvis der skrives parallelt, og det er vel det mest sandsynlige skal de 0,7 mW ganges med ordlængden -- altså 22,4 mW, hvis databussen er 32 bit bred. Det kan elsystemet i min lejlighed altså godt klare, selv om det er meget gammelt :-)

Med venlig hilsen, Frits.

  • 0
  • 0

[quote] Ganger man dét med 0,0007 Watt fås godt nok 6.012.954 watt - ca. 6 Mw (MegaWatt).

Det er godt nok en effekt der vil noget. Jeg tror jeg vil beholde min USB-stick lidt endnu...

Ja, men det er bare det ved det, at din beregning (fortsat) er meningsløs. Se mit overslag tidligere i tråden.

[/quote]

Jamen, det er jo rigtigt! Jeg må indrømme, at jeg ikke fik læste begrundelsen for at anvende J i dit første indlæg, men det er jo klart nok!

  • 0
  • 0
Bidrag med din viden – log ind og deltag i debatten