LAS VEGAS: På Storage Visions-konferencen, som sluttede her i Las Vegas i går, løftede ONFi (Open NAND Flash initiative) sløret for version 2,1 af specifikationen for NAND-flash, der anvendes i langt de fleste typer flash-hukommelse, som hukommelseskort eller USB-diske.

Denne version indeholder en løsning for problemet med nye og større flashchip, der ellers bliver langsommere og langsommere.

I takt med at flash-chip får større og større kapacitet, bliver hver side, som en flashchip består af, også større. Den stiger således typisk fra 2 MB via 4 MB til 8 MB. Da læsning af data kræver, at hele siden overføres til en midlertidig buffer, bliver chippen langsommere, hvis sidestørrelsen bliver større og mere data skal overføres.

Derfor har ONfi i version 2,1 af specifikationen lanceret et nyt interface, der gør læsning af data hurtigere og øger bufferkapaciteten betydeligt.

»Det har været vigtigt for os at udvikle et DDR-interface (Double Data Rate, red), der sikrer overførsler med hastighed op til 200 MB/s, så vi undgår, at flashchip med højere kapaciteter bliver langsommere,« siger Amber Hoffman, der er Principal Engineer hos Intel, til Ing.dk.

Det er Amber, der er hovedansvarlig for designet af interfacet i den nye specifikation.

Den oprindelige definition af NAND gav kun plads til en overførselshastighed på 50 MB/s, men ifølge ONFi er den umiddelbare målsætning at standarden skal kunne klare en overførselshastighed på 400 MB/s.

ONFi forventer, at specifikationen vil blive publiceret i løbet af kort tid på www.ONFi.org.

ONFi har i øjeblikket 71 medlemsvirksomheder og er grundlagt af blandt andet Hynix, Intel, Micron, Phison, Sony og STMicroelectronics.