Forskere hos IBM i Yorktown Heights og Purdue University er i fuld sving med at forske i nanotråde, der er fremstillet med silicium.

Forskningen er meget mere end grundforskning, da formålet er at finde nanotråde, der kan massefremstilles, således at de i fremtiden kan erstatte transistorer i traditionelle integrerede kredsløb, skriver universitetet i en pressemeddelelse.

Traditionel halvlederproduktion følger Moores lov om en fordobling af antallet af transistorer på det samme areal hver 18 til 24 måneder.

Moores lov er imidlertid efterhånden 43 år gammel og kan ikke fortsætte uændret i al fremtid. Lige nu fremstilles de mest avancerede halvledere i 45 nm procesteknologi. Der er ingen problemer med de næste to generationer af fremstillingsteknologi, der anvender dimensioner på 32 og 22 nm, men herefter skal der formodentlig forskes i andre teknologier, med mindre der kommer store gennembrud inden for traditionel halvlederteknologi.

Og det kan meget vel være tilfældet for forskerne på Purdue.

Forskerne anvender mikroskopiske guldpartikler som katalysator. Der blæses en gas indeholdende silicium ind på guldpartiklerne. Her afsættes gassens silicium, hvorefter det hele varmes op, så guldpartiklerne smelter bort. Tilbage er så de rene siliciumrør, der på længere sigt skal anvendes til fremstilling af transistorer.

»Det interessante ved denne måde at fremstille nanorør på er, at det kan lade sig gøre at gentage fremstillingsprocessen med høj præcision, hvorfor vi mener, at processen er velegnet til massefremstilling af rørene,« siger Eric Stach, der er professor i materialeforskning på Purdue University.