Amerikansk forsvar investerer millioner i fremtidens super-RAM
Det amerikanske teknologiselskab Grandis har netop modtaget lidt over 34 millioner kroner fra det amerikanske forsvarsprogram Darpa. Pengene skal gå til udvikling af selskabets STT-RAM-teknologi, der ikke kan rammes af magnetiske bomber.
Forskerteams i både øst og vest arbejder ihærdigt med udviklingen af næste generation elektronisk hukommelse, der skal tackle udfordringen med den hastigt stigende efterspørgsel på mere og billigere hukommelse.
Et af de seneste bud på en kommende universel hukommelsesstandard er STT-RAM, der står for "spin-transfer torque random access memory", hvor 0 og 1 skabes ved hjælp af roterende magnetfelter.
I øjeblikket arbejder blandt andet IBM sammen med TDK (den japanske elektronikgigant, der mest er kendt for at producere kassettebånd) om udvikling af STT-RAM. Det koreanske firma Hynix har også erhvervet en licens på teknologien fra det californiske firma Grandis, som de vil bruge til at udvikle et kommercielt produkt.
Senest har det amerikanske forsvar gennem forskningsprogrammet Darpa bevilliget over 34 millioner kroner (6 mio. USD) til Grandis til det fortsatte arbejde med udvikling af STT-RAM, skriver EETimes.
De 34 millioner kroner er første rate på en samlet investering, der i alt kan løbe op i 85 millioner kroner.
Forsvaret er særdeles interesseret i STT-RAM, da standarden er upåvirkelig i forhold til en magnetisk bombe, der kan kastes for at ødelægge den digitale infrastruktur.
MRAM gemmer flere data på samme areal
Grandis håber, ifølge EETimes, at få sat ekstra skub i udviklingen, der blandt andet kommer til at drage fordel af, at selskabet har investeret i en opgradering af deres produktionslinje, så den både kan klare 200 mm og 300 mm produktion.
Brug af magnetisk hukommelse (MRAM) har længe været udråbt som arvtageren efter DRAM, fordi der kan gemmes flere data på samme areal.
Men udviklingen inden for MRAM er ikke gået helt som forventet, og blandt andet IBM har sadlet om og i stedet kastet sig over forskning i STT-RAM.
Ifølge EETimes kræver MRAM blandt andet mere energi, hvilket også er en af grundende til, at STT-RAM tiltænkes en større rolle i den fremtidige RAM-anvendelse, da den teknologi kræver mindre energi.
EETimes citerer Darpa for, at målet med forskningsprogrammet er at levere en højtydende og omkostningseffektiv universel hukommelsechips baseret på STT-teknologi, der skal bevise sine egenskaber i både materialer og udstyr for at kunne blive en banebrydende teknologi.
