Hans Schumacher fra Physikalisch-Technische Bundesanstalt i Braunschweig, Tyskland har lavet verdens hurtigste MRAM hukommelse, der kan skifte tilstand med en frekvens på 2 GHz. Det er hurtigere, end det kan opnås med de fleste konventionelle SRAM hukommelser.

Magnetisk random-access-memory udnytter, at elektronen kan have to forskellige spin. Populært svarer det til, at elektronen, hvis den opfattes som en lille roterende kugle, kan rotere enten den ene eller den anden vej. Et af problemer med såkaldte spin-transistorer, der er baseret på skift mellem de to spin-tilstande, har været deres langsomme hastighed i forhold til konventionelle transistorer.

Hidtil har skrivning og læsning fra MRAM-celler været begrænset til omkring 100 MHz af magnetiske eksitationer i de to magnetiske lag, som en MRAM-celle indeholder. Hans Schumacher har udviklet en teknik, der eliminerer dette problem. Metoden kaldes ballistisk bit adressering og udnytter, at en strømpuls med en varighed på et halvt nanosekund, kan ændre informationen i MRAM-cellen. Om teknikken kan udnyttes i fremtidige kommercielle MRAM-lagre, vides dog endnu ikke.