Et nyt bud på fremtidens teknologi til computerhukommelse kommer nu fra to forskere på Purdue University i Indiana, USA.

Den har samme funktion som nutidens flash-RAM, altså at gemme data og holde på dem, når computeren er slukket. Men dens strømforbrug, mens den skriver og læser, er kun én procent af flash-RAM's. I øvrigt kan den produceres med chipindustriens nuværende udstyr til CMOS-produktion.

Den nye og hurtige chip-teknologi, som kaldes FeTRAM (Ferroelectric Transistor Random Access Memory) har også potentiale til at konkurrere med nutidens RAM-kredsløb. Den er foreløbig blevet afprøvet med succes som en prototype-transistor i et ordinært, elektronisk kredsløb, skriver Purdue University i en pressesmeddelelse.

Prototypens strømforbrug er stadig noget højere end det teoretisk opnåelige forbrug, men det skyldes ifølge forskerne, at transistoren endnu ikke er skaleret ned i den rette størrelse.

»Teknologien er stadig på et meget tidligt stadium,« siger den ene af de to opfindere, Saptarshi Das.

Den ferroelektriske transistor har den egenskab, at den skifter elektrisk polarisation, når den udsættes for et elektrisk felt. Den egenskab fremkommer ved at kombinere silicium-nanotråde med en ferroelektrisk polymer. Polarisationen skal repræsentere cifrene 1 og 0, og dermed er komponenten egnet til at gemme binær information.

FeTRAM er i øvrigt en teknologisk fætter til en eksisterende, men ikke særligt anvendt RAM-teknologi, der findes på markedet, nemlig FeRAM. (Ferroelektric Random Access Memory). FeRAM har en indbygget kapacitor, hvor FeTRAM har en transistor. Det medfører, at udlæsningen af data fra FeRAM er destruktiv, så informationen slettes fra hukommelsen, når man læser den. Det problem har den nye FeTRAM ikke ifølge pressemeddelelsen.

Forskernes næste skridt vil blive at skalere transistoren ned og reducere strømforbruget.