IBM siger nu, at om blot et par år er en ny type computerhukommelse, Phase Change Memory, klar til at skubbe dagens DRAM af pinden.

Det kom frem under et besøg på IBM's Almeden forskningscenter i Californien. Her fortalte forskeren Geoffry Burr til ing.dk, at det inden for de nærmeste par år vil være muligt at nå en skrivetid på under 300 ns for phase change memory. Når det sker, vil teknologien kunne konkurrere med traditionel DRAM i mange applikationer.

Samtidig er det også muligt at gemme to bit i hver hukommelsescelle, og i eksperimenter har det endda været muligt at gemme op til fem bit i hver celle, men Geoffry Burr mener, at dette er for ustabilt.

Teknologien i Phase Change Memory går ud på at designe hukommelsesceller af et stof, der skifter mellem krystallinsk og amorf tilstand. Heraf navnet faseskiftehukommelse.

Problem, at modstanden skifter hele tiden
Der er dog det lille problem, at modstanden i hver celle ændrer sig med tiden. Typisk er modstanden i en Phase Change Memory-celle omkring 110 kiloohm, men med tiden ændrer den sig og kan variere mellem 95 og 115 kiloohm.

Det store problem i denne sammenhæng er, at variationerne er tilfældige, hvilket betyder, at data skal genskrives omkring hver tredje måned for at undgå at dataene mistes. Dette anser Geoffry Burr imidlertid ikke for et større problem, da Phase Change Memory ofte vil blive anvendt i systemer, hvor der konstant er spænding på hukommelsessystemet.

Den sidste hurdle, der skal overkommes drejer sig om litografi, hvor hver hukommelsescelle typisk skal produceres i 22 nm-procesteknologi. Det skyldes, at der til hver hukommelsescelle hører en transistor, der er så stor, at den skal fremstilles i 45 nm procesteknologi.

IBM har allerede en lang række prototypechip, men forventer først, at Phase Change Memory for alvor bliver en konkurrent til DRAM, når skrivetiden kommer ned under 300 ns.