Det er lykkedes forskere fra IBM at fremstille en graphen-transistor, der er væsentlig hurtigere end tilsvarende komponenter fremstillet i silicium.

Det interessante ved den nye transistor er, at den er fremstillet på produktionsudstyr, der normalt anvendes til fremstilling af velkendte siliciumtransistorer, hvorfor IBM ikke umiddelbart ser problemer med hensyn til produktionen, skriver firmaet i en pressemeddelelse.

Med den høje hastighed ser forskerne en mulighed for i fremtiden at kunne bygge analogt udstyr med meget høje frekvenser i et materiale, der er let og billigt at producere.

Transistoren har en gatelængde på 240 nm, hvilket giver gode muligheder for senere at skrumpe designet, men det er værd at huske på, at alene det at kunne fremstille graphen-transistoren er et stort fremskridt.

Graphenen er produceret på en wafer og er bygget oven på en substrat af silicumcarbid, hvilket andre forskere også har anvendt.

Graphen er et enkelt atomtykt lag af kul, hvor atomerne er ordnet i en hønsenetagtig struktur.

Fordelen ved graphen i forhold til silicium er væsentlig bedre elektriske egenskaber, samt muligheden at skrumpe dimensionerne, når vi om nogle få år kommer dertil, hvor Moores lov ikke længere ubetinget gælder for CMOS-transistorer.